RJK5015DPK-00#T0
Número de pieza:
RJK5015DPK-00#T0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12613 Pieces
Ficha de datos:
RJK5015DPK-00#T0.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RJK5015DPK-00#T0
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 25A (Ta) 150W (Ta) Through Hole TO-3P
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:POWER MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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