RJK0851DPB-00#J5
RJK0851DPB-00#J5
Número de pieza:
RJK0851DPB-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19760 Pieces
Ficha de datos:
RJK0851DPB-00#J5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LFPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-100, SOT-669
Otros nombres:RJK0851DPB-00#J5-ND
RJK0851DPB-00#J5TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RJK0851DPB-00#J5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 20A (Ta) 45W (Tc) Surface Mount LFPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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