RFP2N10L
Número de pieza:
RFP2N10L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17859 Pieces
Ficha de datos:
1.RFP2N10L.pdf2.RFP2N10L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.05 Ohm @ 2A, 5V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RFP2N10L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 2A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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