RE1C002UNTCL
RE1C002UNTCL
Número de pieza:
RE1C002UNTCL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12455 Pieces
Ficha de datos:
RE1C002UNTCL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 100mA, 2.5V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-89, SOT-490
Otros nombres:RE1C002UNTCLTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RE1C002UNTCL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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