R6006ANX
R6006ANX
Número de pieza:
R6006ANX
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18231 Pieces
Ficha de datos:
R6006ANX.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220FM
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:R6006ANX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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