QSZ4TR - Rohm Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-matrices QSZ4TR

QSZ4TR

Número de pieza:: QSZ4TR

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descripción:: TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 16603 Pieces

Ficha de datos:: QSZ4TR.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	370mV @ 75mA, 1.5A
Tipo de transistor:	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Paquete del dispositivo:	TSMT5
Serie:	-
Potencia - Max:	1.25W
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:	10 Weeks
Número de pieza del fabricante:	QSZ4TR
Frecuencia - Transición:	280MHz
Descripción ampliada:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 2A 280MHz 1.25W Surface Mount TSMT5
Descripción:	TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	270 @ 200mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):	2A
Email:	[email protected]

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Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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