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PSMN0R9-30YLDX
- Número de pieza:
- PSMN0R9-30YLDX
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12236 Pieces
- Ficha de datos:
- PSMN0R9-30YLDX.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PSMN0R9-30YLDX, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PSMN0R9-30YLDX por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 0.87 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 349W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Otros nombres: | 1727-1858-2 568-11554-2 568-11554-2-ND 934068233115 PSMN0R9-30YLDX-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PSMN0R9-30YLDX |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7668pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 109nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 100A (Tc) 349W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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