PSMN070-200B,118
PSMN070-200B,118
Número de pieza:
PSMN070-200B,118
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13365 Pieces
Ficha de datos:
PSMN070-200B,118.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PSMN070-200B,118, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PSMN070-200B,118 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar PSMN070-200B,118 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 17A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:1727-4775-2
568-5953-2
568-5953-2-ND
934055719118
PSMN070-200B /T3
PSMN070-200B /T3-ND
PSMN070-200B,118-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:PSMN070-200B,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4570pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios