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PMDPB56XN,115
- Número de pieza:
- PMDPB56XN,115
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18200 Pieces
- Ficha de datos:
- PMDPB56XN,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMDPB56XN,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMDPB56XN,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 510mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 568-10760-2 934066487115 PMDPB56XN,115-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMDPB56XN,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 510mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.1A |
| Email: | [email protected] |
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