NVMFD5485NLWFT1G
NVMFD5485NLWFT1G
Número de pieza:
NVMFD5485NLWFT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19636 Pieces
Ficha de datos:
NVMFD5485NLWFT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:44 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max:2.9W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVMFD5485NLWFT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A
Email:[email protected]

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