NVB5860NT4G
NVB5860NT4G
Número de pieza:
NVB5860NT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19570 Pieces
Ficha de datos:
NVB5860NT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):283W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NVB5860NT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10760pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:180nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 220A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:220A (Tc)
Email:[email protected]

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