NTTFS4800NTWG
NTTFS4800NTWG
Número de pieza:
NTTFS4800NTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17065 Pieces
Ficha de datos:
NTTFS4800NTWG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3x3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):860mW (Ta), 33.8W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTTFS4800NTWG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:964pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 5A (Ta), 32A (Tc) 860mW (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3x3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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