NTS2101PT1
NTS2101PT1
Número de pieza:
NTS2101PT1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
18678 Pieces
Ficha de datos:
NTS2101PT1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:700mV @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70-3 (SOT323)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):290mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTS2101PT1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 8V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.4nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 8V 1.4A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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