NTMFS4841NHT1G
NTMFS4841NHT1G
Número de pieza:
NTMFS4841NHT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14999 Pieces
Ficha de datos:
NTMFS4841NHT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):870mW (Ta), 41.7W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN, 5 Leads
Otros nombres:NTMFS4841NHT1G-ND
NTMFS4841NHT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:29 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTMFS4841NHT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2113pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 8.6A (Ta), 59A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.6A (Ta), 59A (Tc)
Email:[email protected]

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