NTMFD4C20NT3G
NTMFD4C20NT3G
Número de pieza:
NTMFD4C20NT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19552 Pieces
Ficha de datos:
NTMFD4C20NT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:7.3 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max:1.09W, 1.15W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTMFD4C20NT3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.1A, 13.7A
Email:[email protected]

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