NTLUS3A18PZCTBG
NTLUS3A18PZCTBG
Número de pieza:
NTLUS3A18PZCTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18025 Pieces
Ficha de datos:
NTLUS3A18PZCTBG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-UDFN (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTLUS3A18PZCTBG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2240pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 5.1A (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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