NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
Número de pieza:
NTJD4152PT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14508 Pieces
Ficha de datos:
NTJD4152PT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Potencia - Max:272mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:NTJD4152PT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:45 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTJD4152PT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:880mA
Email:[email protected]

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