NTHD4401PT1G
NTHD4401PT1G
Número de pieza:
NTHD4401PT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17588 Pieces
Ficha de datos:
NTHD4401PT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:ChipFET™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Potencia - Max:1.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:NTHD4401PT1GOS
NTHD4401PT1GOS-ND
NTHD4401PT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTHD4401PT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A
Email:[email protected]

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