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NTHD2102PT1
- Número de pieza:
- NTHD2102PT1
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 19364 Pieces
- Ficha de datos:
- NTHD2102PT1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTHD2102PT1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTHD2102PT1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 1.1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | NTHD2102PT1OS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTHD2102PT1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 715pF @ 6.4V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 2.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A |
| Email: | [email protected] |
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