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NTD25P03L1G
- Número de pieza:
- NTD25P03L1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19732 Pieces
- Ficha de datos:
- NTD25P03L1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD25P03L1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD25P03L1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 80 mOhm @ 25A, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | 75W (Tj) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres: | NTD25P03L1GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTD25P03L1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1260pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Through Hole I-Pak |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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