NTB5605P
NTB5605P
Número de pieza:
NTB5605P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14400 Pieces
Ficha de datos:
NTB5605P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:140 mOhm @ 8.5A, 5V
La disipación de energía (máximo):88W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTB5605P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18.5A (Ta)
Email:[email protected]

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