NTB125N02R
NTB125N02R
Número de pieza:
NTB125N02R
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19300 Pieces
Ficha de datos:
NTB125N02R.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.6 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:NTB125N02R
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3440pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción:MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:95A (Ta), 120.5A (Tc)
Email:[email protected]

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