NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG
Número de pieza:
NSV60100DMTWTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DUAL TRANSISTOR PNP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15508 Pieces
Ficha de datos:
NSV60100DMTWTBG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 100mA, 2A
Tipo de transistor:2 NPN (Dual)
Paquete del dispositivo:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Potencia - Max:2.27W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:Q9162093
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:25 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSV60100DMTWTBG
Frecuencia - Transición:155MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 155MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Descripción:DUAL TRANSISTOR PNP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

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