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NSV20101JT1G
- Número de pieza:
- NSV20101JT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN 20V 1A 89SC3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12831 Pieces
- Ficha de datos:
- NSV20101JT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSV20101JT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSV20101JT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 20V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 220mV @ 100mA, 1A |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | SC-89-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 255mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-89, SOT-490 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSV20101JT1G |
| Frecuencia - Transición: | 350MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 255mW Surface Mount SC-89-3 |
| Descripción: | TRANS NPN 20V 1A 89SC3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 100mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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