NRVBM110ET1G
NRVBM110ET1G
Número de pieza:
NRVBM110ET1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12212 Pieces
Ficha de datos:
NRVBM110ET1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:595mV @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):10V
Paquete del dispositivo:Powermite
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:POWERMITE®
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-216AA
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NRVBM110ET1G
Descripción ampliada:Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite
Tipo de diodo:Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 10V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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