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NHP620MFDT3G
- Número de pieza:
- NHP620MFDT3G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18694 Pieces
- Ficha de datos:
- NHP620MFDT3G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NHP620MFDT3G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NHP620MFDT3G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 3A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 200V |
| Paquete del dispositivo: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 25ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 25 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NHP620MFDT3G |
| Descripción ampliada: | Diode Array 2 Independent Standard 200V 3A Surface Mount 8-PowerTDFN |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 2 Independent |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 500nA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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