NGTB15N60S1EG
NGTB15N60S1EG
Número de pieza:
NGTB15N60S1EG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17652 Pieces
Ficha de datos:
NGTB15N60S1EG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:1.7V @ 15V, 15A
Condición de prueba:400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:65ns/170ns
Cambio de Energía:550µJ (on), 350µJ (off)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):270ns
Potencia - Max:117W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:NGTB15N60S1EG-ND
NGTB15N60S1EGOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:NGTB15N60S1EG
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
puerta de carga:88nC
Descripción ampliada:IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
Descripción:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Corriente - Colector Pulsada (ICM):120A
Corriente - colector (Ic) (Max):30A
Email:[email protected]

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