MUR4100EG
MUR4100EG
Número de pieza:
MUR4100EG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17928 Pieces
Ficha de datos:
MUR4100EG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.85V @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:DO-201AD
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:SWITCHMODE™
Tiempo de recuperación inversa (trr):100ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-201AA, DO-27, Axial
Otros nombres:MUR4100EG-ND
MUR4100EGOS
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:MUR4100EG
Descripción ampliada:Diode Standard 1000V (1kV) 4A Through Hole DO-201AD
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD
Corriente - Fuga inversa a Vr:25µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):4A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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