MSRT100160(A)D
MSRT100160(A)D
Número de pieza:
MSRT100160(A)D
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15173 Pieces
Ficha de datos:
MSRT100160(A)D.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1600V (1.6kV)
Paquete del dispositivo:Three Tower
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:MSRT100160(A)D
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600V (1.6kV) 100A Chassis Mount Three Tower
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:1 Pair Series Connection
Descripción:DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 1600V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100A
Email:[email protected]

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