Comprar MRF6V3090NR1 con BYCHPS
Compre con garantía
MRF6V3090NR1
- Número de pieza:
- MRF6V3090NR1
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- FET RF 110V 860MHZ TO270-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16276 Pieces
- Ficha de datos:
- MRF6V3090NR1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRF6V3090NR1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRF6V3090NR1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 50V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 110V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | TO-270 WB-4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 18W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-270AB |
| Otros nombres: | 935321513528 MRF6V3090NR1-ND MRF6V3090NR1TR |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MRF6V3090NR1 |
| Ganancia: | 22dB |
| Frecuencia: | 860MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-270 WB-4 |
| Descripción: | FET RF 110V 860MHZ TO270-4 |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MRF6V3090NR1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Investigación |
 |
MRF6VP3091NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 | Investigación |
|
MRF6V3090NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO272-4 | Investigación |
 |
MRF6V3090NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO270-4 | Investigación |
|
MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO272-4 | Investigación |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Investigación |
 |
MRF6V2010NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO272-2 | Investigación |
 |
MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | Investigación |
|
MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | Investigación |
|
MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | Investigación |
|
MRF6V13250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers