MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G
Número de pieza:
MMBFJ177LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17352 Pieces
Ficha de datos:
MMBFJ177LT1G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MMBFJ177LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MMBFJ177LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar MMBFJ177LT1G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:800mV @ 10nA
Tensión - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistencia - RDS (on):300 Ohm
Potencia - Max:225mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBFJ177LT1GOS
MMBFJ177LT1GOS-ND
MMBFJ177LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBFJ177LT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET:P-Channel
Descripción ampliada:JFET P-Channel 1.5mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):1.5mA @ 15V
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios