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MJ11032G
- Número de pieza:
- MJ11032G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12516 Pieces
- Ficha de datos:
- MJ11032G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MJ11032G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MJ11032G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 120V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 500mA, 50A |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 300W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | TO-204AE |
| Otros nombres: | MJ11032GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MJ11032G |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3 |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 25A, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 2mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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