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MBRB8H100T4G
- Número de pieza:
- MBRB8H100T4G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13931 Pieces
- Ficha de datos:
- MBRB8H100T4G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MBRB8H100T4G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MBRB8H100T4G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 710mV @ 8A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | SWITCHMODE™ |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | MBRB8H100T4G-ND MBRB8H100T4GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBRB8H100T4G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 100V 8A Surface Mount D2PAK |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 4.5µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | 600pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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