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MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Número de pieza:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Fabricante:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Descripción:
- IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12201 Pieces
- Ficha de datos:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MB85R256GPF-G-BND-ERE1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MB85R256GPF-G-BND-ERE1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Velocidad: | 150ns |
| Serie: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 256Kb (32K x 8) |
| Formato de memoria: | FRAM |
| Número de pieza del fabricante: | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP |
| Email: | [email protected] |
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