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MB10M-G
- Número de pieza:
- MB10M-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descripción:
- BRIDGE DIODE GPP 0.8A 1000V MBM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17085 Pieces
- Ficha de datos:
- MB10M-G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MB10M-G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MB10M-G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 1000V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 800mA |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | MBM |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | MBM |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MB10M-G |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 800mA Through Hole MBM |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | BRIDGE DIODE GPP 0.8A 1000V MBM |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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