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MA2C16600E
- Número de pieza:
- MA2C16600E
- Fabricante:
- Panasonic
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14796 Pieces
- Ficha de datos:
- MA2C16600E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MA2C16600E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MA2C16600E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | DO-34 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AG, DO-34, Axial |
| Otros nombres: | MA2C16600ETB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 200°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MA2C16600E |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 50V 100mA Through Hole DO-34 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 100mA |
| Capacitancia Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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