KBP210G
KBP210G
Número de pieza:
KBP210G
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18887 Pieces
Ficha de datos:
KBP210G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - inversa de pico (máxima):1000V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 2A
Tecnología:Standard
Paquete del dispositivo:KBP
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:4-SIP, KBP
Otros nombres:KBP2010GN
KBP2010GN-ND
KBP210GGS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:KBP210G
Descripción ampliada:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole KBP
Tipo de diodo:Single Phase
Descripción:DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):2A
Email:[email protected]

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