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JAN2N3811L
- Número de pieza:
- JAN2N3811L
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16917 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN2N3811L.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN2N3811L, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN2N3811L por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 60V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Tipo de transistor: | 2 PNP (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | TO-78-6 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/336 |
| Potencia - Max: | 350mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-78-6 Metal Can |
| Otros nombres: | 1086-2360 1086-2360-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN2N3811L |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| Descripción: | TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 1mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 10µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
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