IXTQ36N50P
IXTQ36N50P
Número de pieza:
IXTQ36N50P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12732 Pieces
Ficha de datos:
IXTQ36N50P.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTQ36N50P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTQ36N50P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTQ36N50P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):540W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTQ36N50P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 36A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios