IXTN90P20P
IXTN90P20P
Número de pieza:
IXTN90P20P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14435 Pieces
Ficha de datos:
IXTN90P20P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:PolarP™
RDS (Max) @Id, Vgs:44 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):890W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTN90P20P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:205nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 200V 90A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:90A
Email:[email protected]

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