Comprar IXTH220N075T con BYCHPS
Compre con garantía
IXTH220N075T
- Número de pieza:
- IXTH220N075T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 75V 220A TO-247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19501 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTH220N075T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTH220N075T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTH220N075T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 (IXTH) |
| Serie: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 480W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXTH220N075T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 75V 220A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 75V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 220A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTH220N075T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH21N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 | Investigación |
|
IXTH280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 | Investigación |
|
IXTH220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 | Investigación |
|
IXTH20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Investigación |
|
IXTH2N150L | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 | Investigación |
|
IXTH24N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | Investigación |
|
IXTH200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | Investigación |
|
IXTH270N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 270A | Investigación |
|
IXTH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | Investigación |
|
IXTH200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 | Investigación |
|
IXTH200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | Investigación |
|
IXTH20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 | Investigación |
|
IXTH250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A TO-247 | Investigación |
|
IXTH2R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 | Investigación |
 |
IXTH2N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | Investigación |
|
IXTH24P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers