IXKK85N60C
IXKK85N60C
Número de pieza:
IXKK85N60C
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18921 Pieces
Ficha de datos:
IXKK85N60C.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264A
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:36 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXKK85N60C
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:650nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 85A (Tc) Through Hole TO-264A
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

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