IXFX15N100
IXFX15N100
Número de pieza:
IXFX15N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15037 Pieces
Ficha de datos:
IXFX15N100.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):360W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFX15N100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 15A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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