IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2
Número de pieza:
IXFN66N50Q2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13330 Pieces
Ficha de datos:
IXFN66N50Q2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 8mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):735W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFN66N50Q2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:199nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 66A 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:66A
Email:[email protected]

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