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IXFN40N90P
IXFN40N90P
Número de pieza:
IXFN40N90P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16522 Pieces
Ficha de datos:
IXFN40N90P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs:210 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):695W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFN40N90P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:230nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 33A 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:33A
Email:[email protected]

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