IXFK48N60Q3
IXFK48N60Q3
Número de pieza:
IXFK48N60Q3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18370 Pieces
Ficha de datos:
IXFK48N60Q3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFK48N60Q3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFK48N60Q3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFK48N60Q3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264AA (IXFK)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:140 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo):1000W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFK48N60Q3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7020pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 48A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios