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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH76N07-12
IXFH76N07-12
IXFH76N07-12
Número de pieza:
IXFH76N07-12
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17407 Pieces
Ficha de datos:
IXFH76N07-12.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):360W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:IXFH76N0712
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFH76N07-12
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 70V 76A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:70V
Descripción:MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

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