IXDF602SIA
Número de pieza:
IXDF602SIA
Fabricante:
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción:
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15130 Pieces
Ficha de datos:
IXDF602SIA.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:4.5 V ~ 35 V
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):7.5ns, 6.5ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:CLA353
IXDF602SIA-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXDF602SIA
Tensión lógica - VIL, VIH:0.8V, 3V
Tipo de entrada:Inverting, Non-Inverting
Tipo de Puerta:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
Configuración impulsada:Low-Side
Descripción:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):2A, 2A
Corriente de carga:Independent
Email:[email protected]

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