IRLMS2002TR
Número de pieza:
IRLMS2002TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13166 Pieces
Ficha de datos:
IRLMS2002TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Micro6™(SOT23-6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6
Otros nombres:*IRLMS2002TR
IRLMS2002CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLMS2002TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1310pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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