IRFU120NPBF
IRFU120NPBF
Número de pieza:
IRFU120NPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18056 Pieces
Ficha de datos:
IRFU120NPBF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFU120NPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFU120NPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRFU120NPBF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:IPAK (TO-251)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:210 mOhm @ 5.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):48W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:*IRFU120NPBF
SP001557678
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFU120NPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios